LED灯珠封装原材料芯片结构

LED灯珠芯片结构

LED灯珠芯片是半导体发光器件LED灯珠的核心部件，它主要由砷(AS)、铝(AL)、镓(Ga)、铟(IN)、磷(P)、氮(N)、锶(Si)这几种元素中的若干种组成。

LED芯片按发光亮度分类可分为：

一般亮度：R(红色GAaAsP 655nm)、H ( 高红GaP 697nm )、G ( 绿色GaP 565nm )、Y ( 黄色GaAsP/GaP 585nm )、E(桔色GaAsP/ GaP 635nm )等；

高亮度：VG (较亮绿色GaP 565nm )、VY(较亮黄色 GaAsP/ GaP 585nm )、SR( 较亮红色GaA/AS 660nm )；

超高亮度：UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等。

芯片按组成元素可分为：

二元晶片(磷﹑镓)：H﹑G等；

三元晶片(磷﹑镓 ﹑砷)：SR(较亮红色GaA/AS 660nm)、 HR (超亮红色GaAlAs 660nm)、UR(Zui亮红色GaAlAs 660nm)等；

四元晶片(磷﹑铝﹑镓﹑铟)：SRF( 较亮红色 AlGalnP )、HRF(超亮红色 AlGalnP)、URF(Zui亮红色 AlGalnP 630nm)、VY(较亮黄色GaAsP/GaP 585nm)、HY(超亮黄色 AlGalnP 595nm)、UY(Zui亮黄色 AlGalnP 595nm)、UYS(Zui亮黄色 AlGalnP 587nm)、UE(Zui亮桔色 AlGalnP 620nm)、HE(超亮桔色 AlGalnP 620nm)、UG (Zui亮绿色 AIGalnP 574nm) LED等。

发光二极管芯片制作方法和材料的磊晶种类：

1、LPE：液相磊晶法  GaP/GaP；

2、VPE：气相磊晶法 GaAsP/GaAs；

3、MOVPE：有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN；　

4、SH：单异型结构  GaAlAs/GaAs；　

5、DH：双异型结构  GaAlAs/GaAs；

6、DDH：双异型结构  GaAlAs/GaAlAs。

不同LED芯片，其结构大同小异，有外延用的芯片基板( 蓝宝石基板、碳化硅基板等) 和掺杂的外延半导体材料及透明金属电极等构成。